Unterstützte Prozesse

• Wafer-to-Wafer / Panel (W2W)
• SiC- und Wafer-Laminierung (TIM oder PEP) sowie Kupferfolien-Laminierung auf SiC-Wafern
• Die-to-Wafer / Panel (D2W)
• IC-to-Wafer / Panel (D2W)
• Hybrid Bonding
• Wafer-Laminierung
• Wafer-to-Wafer-Bonding

Technische Vorteile und Merkmale für höchste Fertigungsausbeute

Optimierter Durchsatz und kurze Zykluszeiten

Das System wurde für die industrielle Großserienfertigung entwickelt und ist in zwei Ausführungen erhältlich, sowohl mit der Verwendung von Werkstückträgern als auch ohne. Durch integrierte Load Ports für den automatisierten FOUP-zu-FOUP-Transfer übernimmt ein Robotergreifer das direkte Aufnehmen der Wafer, die Notch-Ausrichtung sowie die Datenerfassung.
 

Präzises Temperaturmanagement

Die P201X-W-Serie bietet eine hervorragende Temperatureinheitlichkeit, die insbesondere für die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten komplexer 3D-Strukturen entscheidend ist. Kontrollierte Vorwärm- und Abkühlzyklen minimieren thermische Spannungen und verhindern Mikroschäden während des Bondens empfindlicher Bauteile.
 

Oxidationsfreier Prozess (Stickstoff oder Formiergas mit zertifizierten Sensoren)

Zur Unterstützung hochdichter Verbindungen und Hybrid-Bonding-Prozesse (Kupfer-Kupfer-Diffusionsbonding, Kupfer-Drucksintern oder sämtliche freiliegenden Kupferoberflächen) arbeitet die Anlage mit einer vollständig inerten Prozesskammer. Durch einen Stickstoffgehalt mit einer Restsauerstoffkonzentration von unter 100 ppm wird eine Oxidation von Kupfer vom Aufheizvorgang über den gesamten Prozess bis zum Abkühlen auf Raumtemperatur verhindert. Optional kann Formiergas eingesetzt werden, um eventuell vorhandene Oxidschichten zusätzlich zu reduzieren.
 

Patentierte Micropunch-Technologie

Das exklusive AMX Micropunch-System ermöglicht die selektive und individuelle Druckbeaufschlagung für einzelne Komponenten. Dadurch können unterschiedliche Bauteilhöhen (z. B. SiC, IGBT und NTC-Sensoren) sowie unterschiedliche Zielpresskräfte innerhalb desselben Prozesses vorgenommen werden. Gleichzeitig wird eine optimale Kraftverteilung über den gesamten Wafer bzw. das Panel gewährleistet – selbst bei nicht perfekt planaren Oberflächen.
 

Adaptives Werkzeug mit ausgleichsfähigem Kraftmesssystem

Das Unterwerkzeug verfügt über ein integriertes, patentiertes Kraftmesssystem, das aufgrund seiner Bauweise automatisch Unebenheiten des Substrats bzw. Wafers bis ±0,300 mm kompensiert. Dieses adaptive Werkzeugsystem liefert eine präzise Kraft-Rückmeldung (kN) und gewährleistet eine Total Thickness Variation (TTV) von weniger als ±0,010 mm. Dadurch werden typische Defekte wie Hohlräume, Delaminationen oder Die-Risse wirkungsvoll vermieden.
 

Front-End-Reinraum-Kompatibilität

Die AMX-Anlagen verfügen über integrierte HEPA- bzw. ULPA-Dachfilter sowie eine vollständig abgedichtete Prozesskammer zur Einhaltung strengster Reinraumanforderungen. Dadurch wird Partikelkontamination verhindert, die eine der Hauptursachen für fehlerhafte Verbindungen bei Packaging-Prozessen mit Mikrometer-Pitch darstellt.
 

Smart Factory Integration und Konnektivität

• Inertgas-Load-Port: Direkter FOUP-zu-FOUP-Transfer mit integrierter RFID-Technologie für automatische Datenerfassung und vollständige Rückverfolgbarkeit.
• SEMI 300: Vollständige Kompatibilität mit Smart-Factory- und Fab-Automatisierung einschließlich SECS/GEM-Kommunikation zur zentralen Anlagensteuerung und Prozessrückverfolgung.
• Internationale Zertifizierungen: Alle Systeme sind CE- und UL-zertifiziert und erfüllen die internationalen Anforderungen an Sicherheit und Qualität für den weltweiten Einsatz.

Typische Anwendungen im Advanced Packaging

• Thermo-Compression Bonding (TCB) für ICs auf Siliziumwafern.
• Embedded-Die- und Double-Side-Cooling-(DSC)-Module.
• Leistungselektronik auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).
• Chiplet-basierte Integration für KI-Rechenzentren und Automotive-Kommunikationssysteme.

Erweiterte Anwendungen & Technologieschwerpunkt

Während die X-Wafer P200 W maximale Flexibilität für Inline-Prozesse bietet, liegt ihre eigentliche Stärke in der Bewältigung der anspruchsvollsten Herausforderungen des hochintegrierten Halbleiter-Packagings. Sie schließt die Lücke zwischen dem klassischen Drucksintern und den hohen Anforderungen moderner Frontend- und Mid-End-Bondprozesse.
 

Entwickelt für W2W- und D2W-Sinterbonding

Das System ist für modernste Wafer-to-Wafer (W2W)-Integrationsprozesse sowie hochpräzises Die-to-Wafer (D2W)-Bonding optimiert. Unabhängig davon, ob homogene oder heterogene Halbleitermaterialien verarbeitet werden, gewährleistet die X-Wafer P200 W einen zuverlässigen Thermokompressions-Sinterbondvorgang mit höchster Prozesssicherheit und maximaler Ausbeute.
 

Der Micro-Punch-Vorteil im Rahmen der Waferverarbeitung

Konventionelle Flachpressen mit starren Werkzeugen stoßen beim großflächigen Waferbonden aufgrund von Waferverzug (Warpage) oder TTV (Total Thickness Variation) häufig an ihre Grenzen. Die Folge sind Hohlräume (Voids) oder zerstörerische Mikrorisse.

Das patentierte Micro-Punch-System verwendet eine Matrix einzelner Druckstempel, die über die gesamte Waferoberfläche einen unabhängig geregelten und gleichmäßig verteilten Anpressdruck erzeugen.

Das System gleicht Materialstärkenabweichungen automatisch aus und ermöglicht eine 100 % hohlraumfreie Bondschicht, ohne empfindliche SiC- oder GaN-Strukturen mechanisch zu belasten.
 

Wesentliche Integrationsmerkmale

• Materialkompatibilität: Vollständig geeignet für Sinterprozesse mit modernsten Silberpasten (Ag) sowie sauerstoffkontrollierten Kupferprozessen (Cu).
• Reinraum- und Fab-tauglich: Verfügbar mit standardisierten SMIF-/FOUP-Loadports sowie Schnittstellen für automatisierte AGV-Transportsysteme.
• Umfassende Prozessdatenerfassung: Nahtlose Integration in übergeordnete MES-Systeme. Für jeden einzelnen Bondprozess werden Druck-, Temperatur- und Zeitprofile vollständig dokumentiert und ermöglichen so eine lückenlose Rückverfolgbarkeit gemäß den Anforderungen der Automobilindustrie.